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色素增感薄膜太陽能電池電極研究 06月29日

【摘要】柔性色素增感太陽能電池是以高分子透明導電薄膜為基底材料的新型電池,其主要特點是成本相對較低、原料無污染、應用范圍廣泛,適應機械化、滾筒式生產。多孔TiO2薄膜是目前應用最為廣泛的電極材料,這是因為銳鈦礦型TiO2是良好的半導體,禁帶寬度為3.2eV,但因為吸收范圍位于紫外區,需要增感色素才能吸收可見光區的能量。ZnO薄膜也屬于寬禁帶半導體材料,因此成為最有希望取代TiO2的半導體材料。正是 […]

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纖鋅礦型Mg_xZn_(1-x)O的第一性原理研究 12月04日

【摘要】氧化鋅(ZnO)作為新興一代的半導體材料,在制備紫外和深紫外器件上表現出的獨特、優異的物理性能,受到了人們廣泛關注與深入研究。目前在理論研究方面,主要是利用一些計算軟件(如MaterialsStudio,WIEN2k,VASP,PWSCF等)對材料的性能進行研究與預測。本文中利用MaterialsStudio中的CASTEP模塊計算分析了ZnO的電子結構,以及纖鋅礦型MgxZn1-XO三元 […]

紫外光增強的ZnO氣體傳感器研究 08月17日

【摘要】氣體傳感器已被廣泛應用于檢測有毒氣體、可燃性氣體、濕度等多種氣體種類,具有廣闊的應用前景。半導體氧化物氣體傳感器在室溫下性質很差,為了獲得高的氣敏響應和較快的氣敏響應和恢復,通常需要在氣敏元件上安裝加熱絲,使氣體傳感器在高溫條件下工作。但是高溫下工作會給氣體傳感器的制作和使用帶來很多的不足與缺陷。理論和實驗表明光激發可以有效改善氣體傳感器的性能,紫外光照可以增加半導體中的自由載流子濃度,加 […]

ZnO和Mg(OH)_2薄膜的電沉積制備、表征及沉積機理研究 11月18日

【摘要】摘要:纖鋅礦結構ZnO薄膜由于具有寬的直接帶隙、高激子結合能和壓電等性質,在光學、電子和能源領域用途廣泛。Mg(OH)2薄膜的高透過率和高電阻率等特性使其在光學器件等方面有著廣闊的應用前景。具備低成本、高可控性和適合大面積生產等優點的電沉積法已成為制備高質量薄膜和納米結構材料的有效方法。當前,ZnO和Mg(OH)2薄膜的電沉積制備中,若干涉及體系電化學行為、薄膜生長機理及微觀結構的重要問題 […]

表面吸附與生長的第一性原理研究 10月30日

【摘要】隨著實驗上對材料表面問題研究的深入,人們已經取得了豐富的研究成果,但在原子尺度,對表面吸附擴散等過程,實驗上很難直接觀測。因此基于第一性原理的計算模擬成為非常重要和有效的手段。通過計算可以得到原子尺度上表面反應的精確細節有助于理解反應的微觀機制,對于實驗中不同條件環境下的現象和結果也能給予很好的預測和解釋。本論文主要通過基于第一性原理的DFT計算研究了若干表面吸附體系,包括ZnO兩個極性表 […]

n-ZnO納米棒/p-GaN異質結的制備及光電性能研究 07月04日

【摘要】纖鋅礦結構的ZnO是一種直接帶隙寬禁帶(室溫下Eg=3.37eV)半導體材料,激子束縛能高達60meV。因此,用ZnO制備的發光二極管(LED)適合在高溫、惡劣的環境下工作并獲得高效、穩定的發光。半導體p-n結是發光器件的核心部件,被稱為LED的芯片。對于ZnO來說,復雜的制備技術、缺乏理想的摻雜受主等因素導致人們仍未制備出高質量的p-ZnO,這嚴重阻礙了ZnO同質p-n結器件的發展。為此 […]

ZnO基紫外探測器的制備及其光電性質的研究 07月03日

【摘要】ZnO是一種寬禁帶直接帶隙半導體材料,室溫下禁帶寬度為3.37eV,激子束縛能高達60meV,并且具有良好的化學穩定性和熱穩定性,在短波長光電子器件尤其是紫外光電探測器方面有著巨大的應用潛力,是繼GaN以來紫外光電探測器領域的又一研究熱點。本文采用PLD方法和水熱法,制備了光電導型和PN結型兩種類型的ZnO基紫外光電探測器,并對它們的光電性質進行了研究。以藍寶石為襯底,采用PLD方法制備了 […]

過渡金屬摻雜Mg_xZn_(1-x)O單晶薄膜的外延制備與性能研究 06月29日

【摘要】隨著科學技術的不斷進步,作為信息技術基礎的集成電路,按照Moore定律,其集成密度迅速增加,而相應的單個器件,其尺寸在逐漸減小。隨之而來的便是,器件單位面積上能耗過高等等各種問題。而眾所周知,電子同時具有電荷和自旋兩種屬性。在為傳統微電子工業尋找出路的過程中,人們自然會想到,能否利用電子的自旋屬性來實現信息的處理、傳輸以及存儲,或者將電子的電荷和自旋兩種屬性結合起來加以充分利用?在這一背景 […]

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